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NXP Semiconductors
PESDxS2UQ series
Double ESD protection diodes in SOT663 package
001aaa631
120
I PP
(%)
80
100 % I PP ; 8 μ s
e ? t
001aaa630
I PP
100 %
90 %
5 0 % I PP ; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
Fig 1.
8/20 μ s pulse waveform according to
IEC 61000-4-5
Fig 2.
ESD pulse waveform according to
IEC 61000-4-2
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T j = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff
voltage
PESD3V3S2UQ
PESD5V0S2UQ
PESD12VS2UQ
PESD15VS2UQ
PESD24VS2UQ
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
5
12
15
24
V
V
V
V
V
I RM
reverse leakage current
PESD3V3S2UQ
PESD5V0S2UQ
PESD12VS2UQ
PESD15VS2UQ
PESD24VS2UQ
V RWM = 3.3 V
V RWM = 5 V
V RWM = 12 V
V RWM = 15 V
V RWM = 24 V
-
-
-
-
-
0.55
50
<1
<1
<1
3
300
30
50
50
μ A
nA
nA
nA
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 5 mA
PESD3V3S2UQ
PESD5V0S2UQ
PESD12VS2UQ
PESD15VS2UQ
PESD24VS2UQ
5.2
6.4
14.7
17.6
26.5
5.6
6.8
15.0
18.0
27.0
6.0
7.2
15.3
18.4
27.5
V
V
V
V
V
PESDXS2UQ_SER_4
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 26 January 2010
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